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分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能
引用本文:吴静,尚勋忠. 分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能[J]. 湖北大学学报(自然科学版), 2006, 28(3): 260-262
作者姓名:吴静  尚勋忠
作者单位:湖北大学,物理学与电子技术学院,湖北,武汉,430062;湖北大学,物理学与电子技术学院,湖北,武汉,430062
基金项目:湖北省铁电压电材料与器件重点实验室(湖北大学)开放基金资助
摘    要:采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26 meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似.

关 键 词:分子束外延  InGaP/GaAs  X-Ray  光荧光  霍尔测量
文章编号:1000-2375(2006)03-0260-03
收稿时间:2005-11-08
修稿时间:2005-11-08

Structure and properties of InGaP/GaAs epilayers grown by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source
WU Jing,SHANG Xun-zhong. Structure and properties of InGaP/GaAs epilayers grown by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source[J]. Journal of Hubei University(Natural Science Edition), 2006, 28(3): 260-262
Authors:WU Jing  SHANG Xun-zhong
Affiliation:School of Physics and Electronic Technology, Hubei University, Wuhan 430062, China
Abstract:
Keywords:molecular beam epitaxy  InGaP/GaAs  X-Ray  photoluminescence  Hall
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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