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| 硅衬底上制备4H-SiC择优取向膜的一种新方法 | |
| 引用本文： | 傅正平,杨碚芳,刘如川,阮耀钟.硅衬底上制备4H-SiC择优取向膜的一种新方法[J].科学通报,1998,43(21):2347-2348. |
| 作者姓名： | 傅正平 杨碚芳 刘如川 阮耀钟 |
| 作者单位： | 中国科技大学材料科学与工程系 合肥 230026;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027;复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海 200433 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 碳化硅 薄膜 择优取向膜 制备 半导体 |
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