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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
Si基纳米发光材料的研究进展
作者姓名:
彭英才
X.W.Zhao
傅广生
作者单位:
1. -中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
2. Department of Physics, Faculty of Science, Tokyo University of Science, 1-3, Kagurazaka, Shinjuku-ku, 162-8601, Tokyo, Japan
3. 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002.,E-mail:ycpeng2002@163.com
基金项目:
河北省自然科学基金(批准号:500084),中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室资助项目
摘 要:
Si基纳米材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息材料,在未来的Si发光二极管、Si激光器以及Si基光电子集成技术中具有潜在的重要应用,这些材料主要包括纳米孔硅,由SiO2膜、SiOx(x<2.0)膜与氢化非晶Si(a-Si:H)膜镶嵌或覆盖的Si纳米微粒,Si纳米量子点以及Si/SiO2超晶格等,目前的研究迹象预示,一旦这些材料能够实现高效率和高稳定度的光致发光(PL)或电致发光(EL),很有可能在21世纪初引发一场新的信息革命,主要介绍了过去10年中各类Si基纳米材料在制备方法、结构特征和发光特性方面的研究进展,并初步预测了这一研究领域在今后10年内的发展趋势。
关 键 词:
Si基纳米发光材料 研究进展 制备方法 结构特征 发光机制 Si基光电器件 光电信息材料
收稿时间:
2002-01-07
修稿时间:
2002-01-07
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