| Si基纳米发光材料的研究进展 |
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| 引用本文： | 彭英才,X.W.Zhao,傅广生.Si基纳米发光材料的研究进展[J].科学通报,2002,47(10):721-730. |
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| 作者姓名： | 彭英才 X.W.Zhao 傅广生 |
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| 作者单位： | 1. -中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
2. Department of Physics, Faculty of Science, Tokyo University of Science, 1-3, Kagurazaka, Shinjuku-ku, 162-8601, Tokyo, Japan
3. 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002.,E-mail:ycpeng2002@163.com |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金（批准号:500084），中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室资助项目 |
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| 摘 要： | Si基纳米材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息材料，在未来的Si发光二极管、Si激光器以及Si基光电子集成技术中具有潜在的重要应用，这些材料主要包括纳米孔硅，由SiO2膜、SiOx（x＜2．0）膜与氢化非晶Si（a-Si:H）膜镶嵌或覆盖的Si纳米微粒，Si纳米量子点以及Si/SiO2超晶格等，目前的研究迹象预示，一旦这些材料能够实现高效率和高稳定度的光致发光（PL）或电致发光（EL），很有可能在21世纪初引发一场新的信息革命，主要介绍了过去10年中各类Si基纳米材料在制备方法、结构特征和发光特性方面的研究进展，并初步预测了这一研究领域在今后10年内的发展趋势。
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| 关 键 词： | Si基纳米发光材料 研究进展 制备方法 结构特征 发光机制 Si基光电器件 光电信息材料 |
| 收稿时间： | 2002-01-07 |
| 修稿时间： | 2002年1月7日 |
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