| 重掺杂硅中的氧沉淀 |
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| 引用本文： | 王庆禄,李敬林,赵素英.重掺杂硅中的氧沉淀[J].河北师范大学学报(自然科学版),2003,27(6):582-584. |
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| 作者姓名： | 王庆禄 李敬林 赵素英 |
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| 作者单位： | 1. 唐山师范学院,物理系,河北,唐山,063000
2. 河北工业职业技术学院,计算机自动化控制系,河北,石家庄,050091 |
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| 基金项目： | 河北省教育厅科研基金资助项目(2002237) |
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| 摘 要： | 采用X射线双晶衍射法对重掺硼、重掺锑样品中的氧沉淀行为进行了研究，分析了热处理条件、掺杂剂种类对重掺硅中氧沉淀的影响．实验结果表明：由于氧沉淀诱发缺陷间的相互作用、氧沉淀的重溶以及氧的外扩散等原因，在长时间高温热处理时，晶片表面完整性得到改善；重掺硼样品中的氧沉淀较重掺锑样品中的氧沉淀明显．实验中还观察到了氧沉淀重溶现象，进一步验证了理论分析结果．
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| 关 键 词： | 硅 氧沉淀 重掺杂 X射线双晶衍射法 热处理 掺杂剂 硅外延片 半导体 IG工艺 |
| 文章编号： | 1000-5854(2003)06-0582-03 |
On Oxygen Precipitation in Heavily Doped Silicon |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | heavily doped silicon oxygen precipitation DXS |
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