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| 溅射沉积无定形硅薄膜的激光外延研究 | |
| 作者姓名： | 柳襄怀 林成鲁 陈朝荣 李天胜 赵克萱 徐惠定 段大娟 吴恒显 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所(柳襄怀，林成鲁，陈朝荣，李天胜，赵克萱，徐惠定，段大娟)，中国科学院上海光学精密机械研究所(吴恒显) |
| 摘 要： | 用热处理方法对单晶硅上的无定形硅薄膜进行外延再生长,需要在超高真空和高温(≥1000℃)条件下才能实现.我们用激光外延可以使在10~(-6)托真空条件下溅射沉积的无定形硅薄膜,不需要衬底表面的溅射清洗和高温热分解,就能得到满意的外延层.激光外延给半导体工艺提供了一种有前途的新技术. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |