|
|||||
|
|
| SiO2薄膜注Si^＋后的蓝光发射 | |
| 引用本文： | 廖良生,鲍希茂.SiO2薄膜注Si^＋后的蓝光发射[J].科学通报,1996,41(1):94-95. |
| 作者姓名： | 廖良生 鲍希茂 |
| 作者单位： | 南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室!南京210093(廖良生，鲍希茂，郑祥钦，李宁生)，南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室!南京21(闵乃本) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点资助项目 |
| 摘 要： | 由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热点.广泛应用于硅集成电路中的SiO_2.薄膜有可能成为一种硅基发光材料.最近有人采用高注入能量在硅基SiO_2.薄膜中注入高剂量Si~+,获得了约为2.0eV的光致发光.假如SiO_2薄膜还可以发射绿光和蓝光,则为全色显示提供了必要条件.虽然某些SiO_2块体材料在低温下存在～2.7eV的光致蓝光峰,但有人报道SiO_2薄膜中不存在～2.7eV的蓝光发射.我们采用离子注 |
| 关 键 词： | 二氧化硅薄膜 硅 注入 蓝光发射 半导体 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |