碳纳米管/聚偏氟乙烯复合材料的制备及其介电性能 |
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引用本文: | 王岚,党智敏.碳纳米管/聚偏氟乙烯复合材料的制备及其介电性能[J].四川大学学报(自然科学版),2005(Z1). |
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作者姓名: | 王岚 党智敏 |
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作者单位: | 北京化工大学教育部纳米材料重点实验室 北京化工大学教育部纳米材料重点实验室 北京 北京市新型高分子材料制备与工艺重点实验室 |
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摘 要: | 作者研究了未经处理的多壁碳纳米管/聚偏氟乙烯(MWNT/PVDF)复合材料体系的介电性能发现,在低频下,复合材料的介电常数随MWNT的含量增加而迅速增加,当体积分数为2.0%时,介电常数高达300左右,并且复合材料的渗流阈值仅为1.61%.MWNT较大的长径比和较高的电导率导致复合体系渗流阈值较低.发生渗流效应时,复合材料的介电损耗低于0.4,与频率无关.因此,可以认为未经过化学处理的碳纳米管可以大幅度地改善PVDF基复合材料的介电性能.
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关 键 词: | 碳纳米管 制备 介电性能 复合材料 |
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