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碳纳米管/聚偏氟乙烯复合材料的制备及其介电性能
引用本文:王岚,党智敏.碳纳米管/聚偏氟乙烯复合材料的制备及其介电性能[J].四川大学学报(自然科学版),2005(Z1).
作者姓名:王岚  党智敏
作者单位:北京化工大学教育部纳米材料重点实验室 北京化工大学教育部纳米材料重点实验室 北京 北京市新型高分子材料制备与工艺重点实验室
摘    要:作者研究了未经处理的多壁碳纳米管/聚偏氟乙烯(MWNT/PVDF)复合材料体系的介电性能发现,在低频下,复合材料的介电常数随MWNT的含量增加而迅速增加,当体积分数为2.0%时,介电常数高达300左右,并且复合材料的渗流阈值仅为1.61%.MWNT较大的长径比和较高的电导率导致复合体系渗流阈值较低.发生渗流效应时,复合材料的介电损耗低于0.4,与频率无关.因此,可以认为未经过化学处理的碳纳米管可以大幅度地改善PVDF基复合材料的介电性能.

关 键 词:碳纳米管  制备  介电性能  复合材料
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