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| 砷注入多晶硅的快速热退火 | |
| 引用本文： | 林成鲁.砷注入多晶硅的快速热退火[J].科学通报,1987,32(19):1512-1512. |
| 作者姓名： | 林成鲁 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 (林成鲁)，中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室(邹世昌) |
| 摘 要： | 利用红外辐射或高强度闪光灯作热源的快速热退火技术,由于退火时间的控制既短又精确,因此有效地用于半导体离子注入层的退火以激活杂质并控制杂质的扩散,用来形成浅结或精确控制图形尺寸。离子注入单晶硅的快速热退火已有不少研究,然而离子注入多晶硅的快速热退火却研究得很少。掺杂多晶硅在微电子器件的制造中有广泛的应用。在需要以 |
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