| 关于硅基片硬质掩膜形成的可行性研究 |
| |
| 引用本文： | 新梅.关于硅基片硬质掩膜形成的可行性研究[J].大连民族学院学报,2001,3(3):7-9. |
| |
| 作者姓名： | 新梅 |
| |
| 作者单位： | 大连民族学院, |
| |
| 摘 要： | 通过实验对热氧化工艺中的两种不同方法，即干氧氧化和水汽氧化进行了比较研究，证明了利用这种工艺形成硅基片硬质掩膜的可行性。
|
| 关 键 词： | 硅基片 硬质掩膜 可行性 热氧化工艺 干氧氧化 水汽氧化 热生长二氧化硅法 半导体工艺 |
| 文章编号： | 1009-315(2001)03-0007-03 |
| 修稿时间： | 2000年3月30日 |
The Feasibility of Forming Sheet Silicon's Hard Mask by Thermal Oxidation Technology |
| |
| XIN Mei.The Feasibility of Forming Sheet Silicon''''s Hard Mask by Thermal Oxidation Technology[J].Journal of Dalian Nationalities University,2001,3(3):7-9. |
| |
| Authors: | XIN Mei |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | photo-electric technique thermal oxidation technology hard mask |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
