| Tb3+和Ga3+共掺杂的SiO2发光材料的制备、表征及发光性质的研究 |
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| 引用本文： | 王喜贵,于振友,娜米拉,薄素玲.Tb3+和Ga3+共掺杂的SiO2发光材料的制备、表征及发光性质的研究[J].内蒙古师范大学学报(自然科学版),2008,37(2):224-229. |
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| 作者姓名： | 王喜贵 于振友 娜米拉 薄素玲 |
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| 作者单位： | 内蒙古师范大学化学与环境科学学院,内蒙古呼和浩特010022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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内蒙古自然科学基金
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内蒙古师范大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 通过溶胶-凝胶法制备了Tb3 、Ga3 共掺杂的SiO2发光材料,利用红外光谱、X射线衍射仪对其结构进行表征,通过三维、激发光谱和发射光谱对其发光性质进行分析.结果表明:经过700℃退火处理后的材料,其红外光谱只显示O-Si-O键的存在,表明水和有机物已完全除去;用544nm作为监测波长测得的激发光谱符合三价稀土离子的激发规律;在230nm光激发下得到4条Tb3 的特征发射谱带,分别是467nm(5D3-7F6),492nm(5D4-7F6),544nm(5D4-7F5),583nm(5D4-7F4),且来自5D3的跃迁在高温时由于交叉弛豫而猝灭;只掺杂Ga3 的材料在460nm处发出强烈蓝光,Tb3 、Ga3 共掺杂SiO2材料在460nm处蓝光急剧减弱,而对发光中心Tb3 544nm处的5D4-7F5跃迁和492nm处的5D4-7F6跃迁均有促进作用.此外,还分别研究了不同Ga3 或Tb3 的掺入量、退火温度对材料发光性质的影响.
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| 关 键 词： | 溶胶-凝胶技术 Tb3 和Ga3 共掺杂SiO2材料 发光性质 |
| 文章编号： | 1001-8735(2008)02-0224-06 |
| 修稿时间： | 2007年12月4日 |
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