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一种新型负阻开关器件(MISS)的实验研究
引用本文:
王万录.一种新型负阻开关器件(MISS)的实验研究[J].兰州大学学报(自然科学版),1983(1).
作者姓名:
王万录
摘 要:
本文对具有Si_3N_4薄绝缘层MISS器件进行了实验研究,这种器件与PnPn二极管相比,有更高的光敏性,更高的开关速度和易集成化,在Si_3N_4器件中第一次发现也具有双态特性,并解释为在中性n型区中电子和空穴存贮效应引起的。
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