| MgB2超导膜：几种制备方法和样品性质表征 |
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| 作者姓名： | 王淑芳 周岳亮 朱亚彬 陈正豪 吕惠宾 杨国桢 |
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| 作者单位： | 1. 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
2. 光物理开放实验室,北京凝聚态物理国家实验室＆中国科学院物理研究所,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 分别利用化学气相沉积、脉冲激光沉积和电泳技术在氧化物单晶基片MgO(111)和c-Al2O3上制备了MgB2超导薄膜和厚膜.所制备的样品均为c轴取向生长或c轴织构生长.三种方法制备的样品的零电阻转变温度分别为38,38.4和39 K.薄膜的临界电流密度在15 K,0 T时高达107A/cm2,达到了目前国际报道的最好水平.薄膜的微波表面电阻Rs在10 K,18 GHz下约为100μΩ,可以和高质量的YBCO薄膜的Rs值相比拟.
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| 关 键 词： | MgB2超导膜 化学气相沉积 脉冲激光沉积 电泳 |
| 收稿时间： | 2005-01-31 |
| 修稿时间： | 2005-01-312005-03-08 |
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