| 金属Rb掺杂Alq3的电子结构及其退火与氧化行为 |
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| 作者姓名： | 张文华 王国栋 王立武 李宗木 徐法强 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 |
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| 摘 要： | 利用同步辐射光电子能谱实验技术研究了活泼金属铷原子掺杂8-羟基喹啉铝(Rb-Alq3)薄膜的电子结构以及低温退火与氧化行为,结果表明铷和Alq3分子发生显著反应,电子从金属原子转移到Alq3的LUMO轨道,形成活泼金属/有机接触中典型的带隙态,结合能位于1.2 eV.在低温退火后,Rb-Alq3的价带往高结合能端整体位移0.1 eV,真空能级保持不变,带隙态仍然可辨;深度氧化后,带隙态消失,最高占据态(HOS)基本回到退火氧化处理前的位置,但真空能级抬高了近1 eV.Rb-Alq3氧化后的最小电离势增大了约1 eV,而纯净Alq3薄膜只增大0.05 eV左右.
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| 关 键 词： | 8-羟基喹啉铝 铷 同步辐射 光电子能谱 |
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