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真空静电封接过程与分析
引用本文:吴新坤,郭太良,黄振武,林建光,章秀淦,王瑞红. 真空静电封接过程与分析[J]. 福州大学学报(自然科学版), 2000, 28(2): 16-19
作者姓名:吴新坤  郭太良  黄振武  林建光  章秀淦  王瑞红
作者单位:福州大学电子科学与应用物理系,福建,福州,350002
基金项目:福建省自然科学基金资助项目!(F96 0 2 4 )
摘    要:叙述了真空静电封接技术的工艺过程 ,对封接结果做扫描电子显微镜 (SEM)断面观察 ,并对封接件断面的元素浓度的深度分布用二次离子质谱分析器 (SIMS)进行分析 ,提出了真空静电封接的类电容器结构的新模型 .

关 键 词:真空  静电封接  工艺  分析

The Process and Analysis of Vacuum Electrostatic Bonding
WU Xin-kun,GUO Tai-liang,HUANG Zhen-wu,LIN Jian-guang,ZHANG Xiu-gan,WANG Rui-hong. The Process and Analysis of Vacuum Electrostatic Bonding[J]. Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition), 2000, 28(2): 16-19
Authors:WU Xin-kun  GUO Tai-liang  HUANG Zhen-wu  LIN Jian-guang  ZHANG Xiu-gan  WANG Rui-hong
Affiliation:WU Xin|kun, GUO Tai|liang, HUANG Zhen|wu, LIN Jian|guang, ZHANG Xiu|gan, WANG Rui|hong (Department of Electronic Science and Applied Physics, Fuzhou University,Fuzhou, Fujian 350002, China)
Abstract:The paper has put forward a new explanation for vacuum electrostatic bonding(VEB) model similar to capacitor's configuration by discussing the working procedure of VEB technology and observing its cross|section with scanning electron microscope (SEM) and by analyzing the element consistency distribution in depth on the workpiece cross-section with secondary ion mass spectroanalyzer (SIMS).
Keywords:vacuum  electrostatic bonding  techniques  analysis
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