| SnO_2薄膜的MOCVD技术及其光电性质 |
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| 引用本文： | 罗文秀,淳于宝珠,穆劲,冯绪胜,杨孔章,曹宝诚.SnO_2薄膜的MOCVD技术及其光电性质[J].山东大学学报(理学版),1987(2). |
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| 作者姓名： | 罗文秀 淳于宝珠 穆劲 冯绪胜 杨孔章 曹宝诚 |
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| 作者单位： | 山东大学化学系，山东大学化学系，山东大学化学系，山东大学化学系，山东大学化学系，山东大学物理系 |
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| 摘 要： | 引言SnO_2是一种宽半导体带隙材料(Eg～3.5eV),对Ⅲ,Ⅴ族元素掺杂有效。在可见光波段的透明度高(折射系数 n～1.9),在室温下对酸和碱的抗腐蚀能力强,可用于制做光电极、电阻器、透明加热元件、透明抗反射镀层以及多种器件的环境保护。采用 MOCVD 技术生长 SnO_2薄膜,是七十年代初开始的。最早是 Aoki 和 Sasahur-a 及 Muto 和 Furuuchi,用二甲基氯化锡为物质源(MO)进行化学气相沉积(CVD)制备 SnO_2 薄膜。后来人们采用了四甲基锡 Sn(CH_3)_4为制备薄膜的物质
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THE MOCVD TECHNIQUE OF SnO_2 THIN FILMS AND ITS PHOTOELECTROCHEMICAL PROPERTIES |
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| Luo Wenxiu Chun Yu Baozhu Mu Jin Feng Xusheng Yang Kongzhang Cao Baocheng.THE MOCVD TECHNIQUE OF SnO_2 THIN FILMS AND ITS PHOTOELECTROCHEMICAL PROPERTIES[J].Journal of Shandong University,1987(2). |
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| Authors: | Luo Wenxiu Chun Yu Baozhu Mu Jin Feng Xusheng Yang Kongzhang Cao Baocheng |
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| Institution: | Luo Wenxiu Chun Yu Baozhu Mu Jin Feng Xusheng Yang Kongzhang Cao Baocheng |
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| Keywords: | metallorganic chemical vapour deposition(MOCVD) Stannic oxide |
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