| nc-Si∶H薄膜的制备及特性表征 |
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| 引用本文： | 张志勇,王雪文,赵武,阎军峰,戴琨. nc-Si∶H薄膜的制备及特性表征[J]. 西北大学学报(自然科学版), 2002, 32(5): 477-479 |
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| 作者姓名： | 张志勇 王雪文 赵武 阎军峰 戴琨 |
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| 作者单位： | [1]西北大学电子科学系 [2]陕西西安 710069 [3]陕西西安 |
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| 基金项目： | 陕西省教委专项科研基金资助项目(95JK069) |
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| 摘 要： | 利用等离子体化学气相沉积技术制备纳米硅(nc-Si∶H)薄膜材料,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、Raman光谱仪对成膜的状态进行了表征。用红外吸收光谱仪对不同工艺薄膜的结构进行了分析,研究了偏压对薄膜结构的影响,为纳米硅薄膜在光电子方面的应用提供可靠的依据。
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| 关 键 词： | 等离子化学气相沉积技术 纳米硅薄膜 结构分析 |
| 文章编号： | 1000-274X(2002)05-0477-03 |
| 修稿时间： | 2001-11-08 |
Preparation and structure analysis of nc-Si∶H films |
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