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| 超薄坡莫合金薄膜 | |
| 引用本文： | 于广华,朱逢吾,赵洪辰.超薄坡莫合金薄膜[J].科学通报,2001,46(13):1136-1139. |
| 作者姓名： | 于广华 朱逢吾 赵洪辰 |
| 作者单位： | 北京科技大学材料物理系 |
| 摘 要： | 基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了Ni81Fe19(12nm)超薄薄膜，其各向异性磁电阻（AMR）变化率达到1．2％，而矫顽力却只有127A／m。同较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜进行结构比较表明：超高本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜表面光滑、平整、起伏小、薄膜致密，结构缺陷较少、而较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜表面粗糙、起伏小、薄膜较较松、不均匀、结构缺陷较多。 |
| 关 键 词： | 各向异性磁电阻 矫顽力 镍铁薄膜 超薄坡莫合金薄膜 结构缺陷 巨磁电阻效应 |
| 收稿时间： | 2001-01-30 |
| 修稿时间： | 2001年4月25日 |
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