| 掠入射荧光XAFS研究(Ge4/Si4)5/Si(001)超晶格的结构 |
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| 引用本文： | 韦世强. 掠入射荧光XAFS研究(Ge4/Si4)5/Si(001)超晶格的结构[J]. 中国科学技术大学学报, 2000, 30(3): 356-360 |
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| 作者姓名： | 韦世强 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;Electrotechnical Laboratory, 1-1-4 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305, Japan
2. Electrotechnical Laboratory, 1-1-4 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305, Japan |
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| 基金项目： | 中国科学院"百人计划"，中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 本文用掠入射荧光XAFS研究(Ge4/Si4)5/Si(001)形变超晶格的局域结构.超晶格中的Ge-Ge和Ge-Si第一配位键长分别为RGe-Ge=0.243 nm和RGe-Si=0.238 nm,与晶态Ge(RGe-Ge=0.245 nm)和共价Ge-Si键长RGe-Si=0.240 nm相比,其配位键长缩短了0.002 nm,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲,Ge-Ge配位数为1.8和Ge-Si配位数为2.2显然偏离了理论的配位数Ge-Ge为3和Ge-Si配位数为1.我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释(Ge4/Si4)5超晶格的界面结构.
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| 关 键 词： | 荧光XAFS 局域结构 锗／硅超晶格 半导体 |
| 修稿时间： | 1999-12-10 |
Local Structure of (Ge4Si4)5 Superlattice Studied by Grazing Incident Fluorescence X-ray Absorption Fine Structure |
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| WEI Shi-qiang,OYANAGI Hiroyuki. Local Structure of (Ge4Si4)5 Superlattice Studied by Grazing Incident Fluorescence X-ray Absorption Fine Structure[J]. Journal of University of Science and Technology of China, 2000, 30(3): 356-360 |
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| Authors: | WEI Shi-qiang OYANAGI Hiroyuki |
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