首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

超晶格中单极电场畴形成和输运过程的数值模拟
引用本文:张启义,田强.超晶格中单极电场畴形成和输运过程的数值模拟[J].北京师范大学学报(自然科学版),2001,37(5):619-622.
作者姓名:张启义  田强
作者单位:北京师范大学物理学系
基金项目:教育部高校骨干教师资助计划;;
摘    要:对于弱耦合掺杂GaAs/AlAs超晶格,采用分立漂移模型。数值模拟和分析直流偏压下超晶格中单极电场畸形的动态行为和物理机制,并分析了弱耦合掺杂超晶格的电流自激振荡现象。

关 键 词:电场畸形  电流自激振荡  数值模拟  超晶格  输运过程
修稿时间:2001年5月24日

NUMERICAL SIMULATION OF MONOPOLE DOMAINS FORMATION AND TRANSPORTATION IN SUPERLATTICES
Zhang Qiyi,Tian Qiang.NUMERICAL SIMULATION OF MONOPOLE DOMAINS FORMATION AND TRANSPORTATION IN SUPERLATTICES[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2001,37(5):619-622.
Authors:Zhang Qiyi  Tian Qiang
Abstract:The discrete drift model of superlattices is taken into account to investigate the formation and transportation in a n-doped weakly coupled semiconductor superlattices under dc voltage bias. Numerical simulation interprets the dynamic properties of the monopole domains clearly. The current periodic oscillations are also analyzed in detail.
Keywords:electric-field domains  self-sustained current oscillations  numerical simulation  superlattices
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号