第一过渡族金属络合物电子结构的标度理论方法

配位场理论是研究金属络合物的一种承要理论方法,在理论研究和应用研究中有着十分广泛的应用。在用它来研究电子结构时,最终会遇到一些径向积分如〈r~k〉、Racah参数、旋-轨耦合常数等,如果直接用自由离子的径向波函数来计算这些量时,往往会出现很大的偏差甚至是数量级之差。因此在配位场理论中,长期以来都是采用参最拟合法来定量解释络合物的电子结构的。要全面解释一个络合物的电子结构,须引入六个甚至十多个拟合参数,因此,带有一定程度的任意性。有时对于同一个络合物的电子光谱参数,不同作者能得出各不相同、悬殊很大的拟合值。