镁合金表面电沉积硅烷膜的工艺优化

为进一步提升常规浸涂硅烷膜的防护效果,采用电化学辅助技术在AZ91D镁合金表面沉积了γ-氨丙基三乙氧基硅烷膜,通过正交试验优化了沉积电位和沉积时间等电沉积的工艺参数,借助点滴试验和E-t曲线评估了硅烷膜的耐蚀性能。结果表明:沉积电位对AZ91D镁合金表面阴极辅助沉积硅烷膜耐蚀性的影响最为显著,最优电沉积工艺参数为沉积电位-1.0 V、沉积时间15 min;随着沉积电位的负移和沉积时间的延长,硅烷膜的耐蚀能力均呈现先上升后下降的变化规律,电沉积硅烷膜对AZ91D镁合金基体的防护能力明显优于常规浸涂硅烷膜。