| FTW150K高比容钽粉研制的低压高容量钽电解电容器氧化膜的修补 |
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| 引用本文： | 李福成. FTW150K高比容钽粉研制的低压高容量钽电解电容器氧化膜的修补[J]. 江南大学学报(自然科学版), 2013, 12(2): 190-193 |
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| 作者姓名： | 李福成 |
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| 作者单位： | 中色(宁夏)东方集团有限公司,宁夏石嘴山,753000 |
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| 摘 要： | 对FTW150K高比容钽粉研制的低压高容量钽电解电容器氧化膜的修补工艺条件进行研究,在一定温度和电压下,经过老化方法修补受损的氧化膜和淘汰早期失效的样品,讨论了老化电压、老化温度及老化时间对样品电性的影响。通过结合回流焊数据分析发现,在相对条件下,最佳工艺:老化电压为1.2倍(低),老化温度为85℃(居中),老化时间为5 h,可使氧化膜得到很好地修补。
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| 关 键 词： | 钽电解电容器 氧化膜 老化电压 老化温度 |
FTW150K High CV Tantalum Powder Make Low Pressure High Volume Tantalum Electrolytic Capacitor Oxide Film Repair of Research |
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| LI Fu-cheng. FTW150K High CV Tantalum Powder Make Low Pressure High Volume Tantalum Electrolytic Capacitor Oxide Film Repair of Research[J]. Journal of Southern Yangtze University:Natural Science Edition, 2013, 12(2): 190-193 |
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| Authors: | LI Fu-cheng |
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| Affiliation: | LI Fu-cheng(CNMC Ningxia Orient Group Co.Ltd.,Shizuishan 753000,China) |
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