| 硼注入金刚石的分子动力学模拟 |
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| 引用本文： | 李荣斌,戴永兵,胡晓君,沈荷生,何贤昶. 硼注入金刚石的分子动力学模拟[J]. 上海交通大学学报, 2003, 37(10): 1513-1516 |
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| 作者姓名： | 李荣斌 戴永兵 胡晓君 沈荷生 何贤昶 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50082005) |
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| 摘 要： | 利用Tersoff势和分子动力学方法研究了初始动能为500eV的硼粒子注入金刚石的微观行为．结果表明：单个500eV的硼原子注入后金刚石仍保持长程有序结构；表面层原子向内驰豫，邻近表达层的其他各层原子向外驰豫，表面层与近表层原子的间距减少了15％，而第2层原子与第3层原子之间的间距增加了1．5％；硼原子穿透到表面层下0．4nm处，然后再向表面扩散；表面层产生0．4MPa的压应力．
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| 关 键 词： | 金刚石 硼 离子注入 分子动力学 |
| 文章编号： | 1006-2467(2003)10-1513-04 |
| 修稿时间： | 2002-10-16 |
Molecular Dynamics Simulation of Boron Implantation into Diamond |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diamond boron particle implantation molecular dynamics |
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