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| GaP缺陷增殖机理的研究 | |
| 引用本文： | 张福甲 ,孙达.GaP缺陷增殖机理的研究[J].兰州大学学报(自然科学版),1983(1). |
| 作者姓名： | 张福甲 孙达 |
| 摘 要： | 将掺杂为Te、晶面(111)的n型GaP单晶样品,机械抛光后,在通有饱和C1_2气的甲醇溶液中,室温下化学抛光40分钟,然后用去离子水冲洗后,在H_2SO_4∶H_2O_2∶H_2O=3∶1∶1的腐蚀液中,70℃下腐蚀10—15分钟,即有位错腐坑显出,并有再现性。以这种样品材料为衬底的掺N、Zn液相外延生长层,仍用上述腐蚀液,在同样温度 |
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