一种新的双栅MOSFET物理模型 |
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引用本文: | 孙彦卿,唐仁兴.一种新的双栅MOSFET物理模型[J].辽宁大学学报(自然科学版),1989,16(1):45-50. |
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作者姓名: | 孙彦卿 唐仁兴 |
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作者单位: | 辽宁大学物理系,辽宁大学物理系,辽宁大学物理系 |
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摘 要: | 本文以单栅MOSFET的物理模型为基础,导出了双栅MOSFET的物理模型,该模型中,不仅考虑了漏压对沟道长度的调制效应,而且也考虑了栅压对沟道中载流子迁移率的影响,由该模型导出的双栅MOSFET的V—I特性与实验结果做了比较,二者符合得很好,并对器件的V—I特性从物理机制上进行了详细讨论。
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关 键 词: | 双栅 MOSFET 物理模型 |
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