| 高精度低功耗带隙电压源设计 |
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| 引用本文： | 徐勇,关宇,赵斐,肖红军,阎小静.高精度低功耗带隙电压源设计[J].解放军理工大学学报,2006,7(4):326-329. |
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| 作者姓名： | 徐勇 关宇 赵斐 肖红军 阎小静 |
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| 作者单位： | 解放军理工大学理学院 江苏南京211101(徐勇，关宇，肖红军，阎小静)，解放军理工大学气象学院 江苏南京211101(赵斐) |
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| 摘 要： | 设计了一种集成电路中带隙电压参考源。作为IP核集成应用于单芯片集成电路中,提供与温度及电源电压无关的1.22 V电压参考基准。为克服半导体器件本身固有的温度特性,采用正负温度系数相互抵消的方法,设计实现了零温度系数的电压参考源。设计表明,在-45~125°C温度范围内,输出电压温度系数仅为7 ppm/°C,电源抑制比为-75 dB。在5 V电源电压作用下功耗电流为133μA,整个IP核芯片面积为285μm×285μm,采用0.6μm标准CMOS工艺实现。
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| 关 键 词： | 集成电路 知识产权核 带隙电压参考源 运算放大器 启动电路 |
| 文章编号： | 1009-3443(2006)04-0326-04 |
| 收稿时间： | 2005-06-27 |
| 修稿时间： | 2005年6月27日 |
Design of precise and low -power bandgap voltage reference |
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| XU Yong,GUAN Yu,ZHAO Fei,XIAO Hong-jun and YAN Xiao-jing.Design of precise and low -power bandgap voltage reference[J].Journal of PLA University of Science and Technology(Natural Science Edition),2006,7(4):326-329. |
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| Authors: | XU Yong GUAN Yu ZHAO Fei XIAO Hong-jun and YAN Xiao-jing |
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| Institution: | Institute of Sciences,PLA Univ.of Sci.& Tech.,Nanjing 211101,China;Institute of Sciences,PLA Univ.of Sci.& Tech.,Nanjing 211101,China;Institute of Meteorology,PLA Univ.of Sci.& Tech.,Nanjing 211101,China;Institute of Sciences,PLA Univ.of Sci.& Tech.,Nanjing 211101,China;Institute of Sciences,PLA Univ.of Sci.& Tech.,Nanjing 211101,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | integrated circuit intellectual property core bandgap voltage reference operational amplifier start-up circuit |
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