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TiO2薄膜的半导体和气敏特性
引用本文:王保国,孙倩,张金利,李(韦华). TiO2薄膜的半导体和气敏特性[J]. 天津大学学报(自然科学与工程技术版), 2007, 40(8): 887-891
作者姓名:王保国  孙倩  张金利  李(韦华)
作者单位:天津大学化工学院 天津300072
基金项目:天津市科委科技攻关计划重大资助项目
摘    要:溶胶-凝胶法制备了添加聚乙二醇和Al3 的TiO2薄膜,研究了薄膜的半导体特性和气敏性.添加聚乙二醇使TiO2薄膜的荧光发射峰从未添加的650 nm蓝移至600 nm处.添加聚乙二醇(相对分子质量2000)2.0 g/100mL的TiO2薄膜在还原性气氛中电阻值增大,在350℃下薄膜对1.0×10-3(体积分数)CO的灵敏度约为3.4;进而掺杂离子半径较小的Al3 ,能够提高薄膜对CO的气敏性:在350℃时添加聚乙二醇且Al3 摩尔分数为50/0、100/0的薄膜对1.0×10-3(体积分数)CO的灵敏度分别为5.0和20.4.X射线光电子能谱表征说明,由于Al3 的晶格替代和氧间隙原子使添加有聚乙二醇和Al3 的TiO2薄膜产生以空穴为主的传导机制,表现出P型半导体特性.该研究结果对于研发TiO基的气敏传感器、新型太阳能电池具有重要意义.

关 键 词:TiO2薄膜  掺杂  半导体  气敏
文章编号:0493-2137(2007)08-0887-05
修稿时间:2007-02-15

Semiconductor and Gas-Sensing Property of TiO2 Thin Films
WANG Bao-guo,SUN Qian,ZHANG Jin-li,LI Wei. Semiconductor and Gas-Sensing Property of TiO2 Thin Films[J]. Journal of Tianjin University(Science and Technology), 2007, 40(8): 887-891
Authors:WANG Bao-guo  SUN Qian  ZHANG Jin-li  LI Wei
Affiliation:School of Chemical Engineering and Technology, Tianjin 300072, China
Abstract:
Keywords:TiO2 films  dopant  semiconductor  gas-sensing
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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