| 两步法生长氮化铝中缓冲层和外延层工艺研究 |
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| 作者姓名： | 刘启佳 张荣 谢自力 刘斌 徐峰 姚靖 聂超 修向前 韩平 郑有炓 龚海梅 |
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| 作者单位： | ① 南京大学物理系光电信息功能材料江苏省重点实验室, 南京 210093;② 中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200080 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划973项目（批准号：2006CB6049）、国家高技术研究发展规划、国家自然科学基金（批准号：6039072,60776001,60421003,60676057）、高等学校博士学科点专项科研基金（批准号：20050284004）和江苏省自然科学基金项目（批准号：BK2005210）资助 |
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| 摘 要： | 研究了利用有机化学气相沉积外延方法在c面宝石（α-A1203）衬底上两步法外延生长的氮化铝薄膜．缓冲层采用氮化铝成核层．原位反射谱表明氮化铝成核过程有别于氮化镓缓冲层成核，在优化的条件下显示出单一晶面取向．同时，X射线衍射分析表明氮化铝初始成核过程中，缓冲层存在着压应变；随着成核时间的增加及退火，压应变逐渐得到驰豫．结合透射光谱分析发现，在外廷层的生长过程中，较高的的Ⅴ/Ⅲ比能够提高氮化铝薄膜的晶体质量，但是生长速率下降，可能是由于三甲基铝与氨气的寄生反应加剧造成的；另外，对氮化铝外延层进行适度的Si掺杂能够在一定程度上改善薄膜表面形貌．
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| 关 键 词： | 氮化铝 MOCVD 反射谱 XRD 透射光谱 |
| 收稿时间： | 2007-01-24 |
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