| 水滑石晶体生长机理 |
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| 引用本文： | 吴健松,肖应凯,汪剑宇,文丽容.水滑石晶体生长机理[J].中国科学:信息科学,2012(4):486-492. |
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| 作者姓名： | 吴健松 肖应凯 汪剑宇 文丽容 |
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| 作者单位： | [1]湛江师范学院化学科学与技术学院,湛江524048 [2]中国科学院青海盐湖研究所,中国科学院盐湖资源与化学重点实验室,西宁810008 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：40776071）资助项目 |
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| 摘 要： | 从“生长基元”角度出发，研究了水滑石晶体生长机理，结果表明水滑石生长形态符合负离子配位多面体生长模型．采用Raman光谱分析了镁铝水滑石、铜镁铝类水滑石、铜锌镁铝类水滑石生长溶液拉曼位移，发现镁铝水滑石层板生长基元是Mg-（0H）6]^4-，Al-（0H）6]^3-；含铜锌类水滑石的生长基元是Mg-（0H）6]^4-（M=Zn^2＋，Cu^2-），Mg-（0H）6]^4-，A1-（0H）6]^3-，水滑石的生长是生长基元先叠合为金属板层，然后再吸附阴离子A”及H：0，依此循环而组成层状化合物．水滑石生长基元所处生长环境不同，会使生长形态不同，以至形成不同外形的水滑石．文章还分析了为什么含铜类水滑石较难合成的原因．
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| 关 键 词： | 负离子配位多面体生长基元模型 生长机理 生长形态 姜-泰效应 水滑石晶体 |
The growth mechanism of hydrotalcite crystal |
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| Institution: | Wu .l S, Xiao Y K, Wan J Y, et al. |
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