| 浸涂法制备掺锑SnO_2透明导电膜 |
| |
| 引用本文： | 柯琪,程继健. 浸涂法制备掺锑SnO_2透明导电膜[J]. 华东理工大学学报(自然科学版), 1992, 0(Z1) |
| |
| 作者姓名： | 柯琪 程继健 |
| |
| 作者单位： | 华东化工学院无机材料系，华东化工学院无机材料系 |
| |
| 摘 要： | 以三氯叔丁醇锡和三氯化锑为主的有机-无机溶液,采用垂直浸涂法,在普通Na-Ca-Si系玻璃基片上制备了透明的掺锑SnO_2导电膜。薄膜的主透过波长在480nm附近,膜厚达1.26μm时其透光率约为80％,薄层电阻R_s可低达35Ω。研究表明,预涂SiO_2致密膜对于消除由于界面上Na~+的扩散而造成的电性能下降是有效的。锑的掺杂浓度在Sb/Sn=6％(mol)时膜有最低的R_s值,可见光-远红外透射率随Sb的增加而下降。随膜厚的增加,R_s按指数规律下降,但光吸收增加。膜厚在1.2μm时其光电特性优化因子φ_(T(?))最大。适当提高热处理温度和延长热处理时间,膜中SnO_2主晶相的晶化程度提高,膜的光、电性能可以同时得到改善。
|
| 关 键 词： | 二氧化锡 锑 浸涂法 透明导电膜 掺杂 |
Preparation of Sb-Doped SnO_2. Transparent Conductive Film by Dip-Coating Method |
| |
| Ke Qi and Cheng Jijian. Preparation of Sb-Doped SnO_2. Transparent Conductive Film by Dip-Coating Method[J]. Journal of East China University of Science and Technology, 1992, 0(Z1) |
| |
| Authors: | Ke Qi and Cheng Jijian |
| |
| Affiliation: | Department of Inorganic Material |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | tin oxide antimony dip coating transparent conductive film doping |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
