| GaAs：Cr中深能级俘获效应对电导的影响 |
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| 引用本文： | 王威礼,王得煌.GaAs：Cr中深能级俘获效应对电导的影响[J].北京大学学报(自然科学版),1991,27(5):599-607. |
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| 作者姓名： | 王威礼 王得煌 |
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| 作者单位： | 物理学系
(王威礼，王德煌，让庆澜)，物理学系(何雪华) |
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| 摘 要： | 本文报导半绝缘GaAs:Cr的低压和低频电流振荡现象,在室温下系统地测量电流和电压关系的伏安特性,并进一步研究在红外和可见光辐照下的振荡规律,分析了深能级俘获过程对导带内电子浓度和迁移率的影响。
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| 关 键 词： | GaAs 深能级 俘获 电导 电流振荡 |
GaAs: Cr Deep Level Trapping Effect on Conductivity |
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| WANG Weili,WANG Dehuang,RANG Qinglan,HE Xuehua.GaAs: Cr Deep Level Trapping Effect on Conductivity[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis,1991,27(5):599-607. |
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| Authors: | WANG Weili WANG Dehuang RANG Qinglan HE Xuehua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs Deep level Trap Conductivity |
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