| 不同厚度三维拓扑绝缘体Sb2Te3的圆偏振光致电流光谱 |
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| 引用本文： | 夏丽佳,陈 磊,俞金玲.不同厚度三维拓扑绝缘体Sb2Te3的圆偏振光致电流光谱[J].福州大学学报(自然科学版),2021,49(2):184-187. |
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| 作者姓名： | 夏丽佳 陈 磊 俞金玲 |
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| 作者单位： | 福州大学物理与信息工程学院，福建 福州 350108 |
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| 摘 要： | 针对观察到厚度为7 nm的三维拓扑绝缘体Sb_2Te_3薄膜的圆偏振光致电流与厚度为30 nm样品的符号相反这一情况,提出进一步利用原子力显微镜表征的方法.利用1 064 nm圆偏振激光的激发,发现30 nm的样品比7 nm的样品具有更大表面粗糙度,从而得到30 nm样品的上表面态对圆偏振光致电流的贡献减小,使其下表面态的贡献占主导;而7 nm的样品为上表面态的贡献占主导,故相比厚度为30 nm的样品出现了反号这一结论.同时利用960 nm激光激发样品,发现厚度为30和7 nm的样品呈现相同的符号,进一步研究表明这个信号可能与InP衬底的自旋注入有关.
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| 关 键 词： | 三维拓扑绝缘体 Sb2Te3 圆偏振光致电流光谱 表面态 |
Circular photogalvanic effect spectroscopy of three dimensional topological insulator Sb2Te3 with different thickness |
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| XIA Liji,CHEN Lei,YU Jinling.Circular photogalvanic effect spectroscopy of three dimensional topological insulator Sb2Te3 with different thickness[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2021,49(2):184-187. |
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| Authors: | XIA Liji CHEN Lei YU Jinling |
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