| HfAlO_x/γ-Fe_2O_3/HfAlO_x纳米堆栈结构的电阻开关特性 |
| |
| 引用本文： | 郑烨,张祎杨,朱华星,王瑞雪,张道扬,邱晓燕.HfAlO_x/γ-Fe_2O_3/HfAlO_x纳米堆栈结构的电阻开关特性[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2015(3):80-87. |
| |
| 作者姓名： | 郑烨 张祎杨 朱华星 王瑞雪 张道扬 邱晓燕 |
| |
| 作者单位： | 西南大学物理科学与技术学院 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:11274257);重庆市自然科学基金(编号:cstc2014jcyjA40029);中央高校基本科研业务费专项资金(编号:XDJK2014B043);西南大学本科生科技创新基金(编号:1318003)资助项目 |
| |
| 摘 要： | 本文用磁控溅射和旋涂法成功制备了HfAlOx/γ-Fe2O3/HfAlOx堆栈结构,该堆栈结构具有典型的双极性电阻开关特性:在-1V读取电压下可获得高达90的高/低电阻态阻值比,该比值可稳定维持近50个循环周期,远优于相同条件下制备的γ-Fe2O3纳米微粒薄膜.线性拟合电流-电压对数曲线结果表明,低电阻态时,样品漏电流特性满足欧姆隧穿机制;高电阻态时,低电场下的漏电流以缺陷主导的空间电荷限制隧穿电流为主,高电场下为串联内置电阻的欧姆隧穿电流;该堆栈结构的电阻开关特性是"体导电细丝通道"和"电场作用下界面势垒改变"共同作用的结果.
|
| 关 键 词： | γ-Fe2O3纳米微粒 HfAlOx薄膜 电阻开关特性 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
