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| 193nm投影光刻物镜光机系统关键技术研究进展 | |
| 摘 要： | 结合双/多曝光的193nm投影光刻是未来5~10年大规模集成电路工业化生产的主要方法.投影物镜作为光刻机的核心分系统,其光机系统关键技术的研究进展直接影响物镜整体性能的提升.本文分析了当前集成电路装备制造业对193nm投影物镜的需求,阐述了曝光系统设计、光学元件被动支撑、位姿调节、主动变形、元件更换和系统数值孔径调节等物镜光机系统关键技术研究现状,提炼了阻碍物镜未来发展的关键科学技术问题.目前,193nm光刻物镜尚需进一步阐明高阶热像差的产生机理和校正策略,解决多自由度位姿标定问题,形成完备的物镜研制方法,指导高成像质量物镜的制造. |
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