MoO_3改善接触的薄层MoS_2 N-型场效应管的电输运性质研究

本文利用三氧化钼(MoO_3)/金(Au)作为二硫化钼(MoS2)场效应晶体管的电极,得到了接触改善的N型二硫化钼场效应晶体管,并对其输运性质进行了变温测量.研究发现,将氧化钼作为在二硫化钼与金属电极之间的过渡层,可以很好地改善二硫化钼场效应器件的肖特基接触:对于2nm厚度的二硫化钼,其室温迁移率可达25cm2V~(–1)s~(–1),与没有三氧化钼接触的器件相比,室温迁移率提高了近16倍;对于8nm厚度的二硫化钼,其低温迁移率最高可达100cm~2V~(–1)s~(–1).优化后的电接触使得我们可以提取出二硫化钼器件本征的低温输运特性,并发现缺陷杂质对载流子的散射是影响器件输运性质的主要原因;其中在少层二硫化钼中,缺陷杂质的散射作用随着载流子浓度的增加、屏蔽能力的增强而减少.这种改善接触的方法同样适用于其他过渡金属硫族化合物.