| Zn1-xCoxO稀磁半导体的XAFS研究 |
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| 作者姓名： | 史同飞 朱三元 吴文清 张国斌 闫文盛 孙治湖 刘文汉 韦世强 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029;中国科学技术大学物理系,安徽合肥,230026 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029;中国科学技术大学物理系,安徽合肥,230026 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 中国科学技术大学物理系,安徽合肥,230026 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 |
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| 摘 要： | 利用XAFS技术研究溶胶-凝胶法制备的Zn1-xCoxO稀磁半导体材料结构随Co含量(x)的变化.结果表明在低含量的Co掺杂ZnO(x=0.02,0.05)时Co2 离子完全进入ZnO晶格中,替代了Zn2 离子,并且造成了Co2 离子周围局域结构的膨胀.当Co的含量x增加到0.10或更高时,只有一部分的Co2 离子进入晶格,剩余的Co2 和Co3 析出晶格形成Co3O4相.
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| 关 键 词： | XAFS Zn1-xCoxO稀磁半导体 溶胶-凝胶法 |
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