| 含纳米硅氧化硅薄膜的多峰光致发光研究 |
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| 引用本文： | 陈全海,马书懿. 含纳米硅氧化硅薄膜的多峰光致发光研究[J]. 西北师范大学学报(自然科学版), 2006, 42(6): 40-43 |
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| 作者姓名： | 陈全海 马书懿 |
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| 作者单位： | 西北师范大学物理与电子工程学院 甘肃兰州730070 |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究重点项目;甘肃省教育厅科研项目;甘肃省重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 采用γ射线辐照含纳米硅的氧化硅薄膜,测量了其辐照前后的光致发光谱.用Gauss函数对各发光谱进行了拟合,结果表明各光谱都是三峰结构.γ辐照后,除原有的2个位于800 nm(1.55 eV)和710 nm(1.75 eV)的发光峰峰位几乎未变之外,位于640 nm(1.94 eV)的肩峰被一个很强的580 nm(2.14 eV)的新峰遮盖.根据实验现象与光谱分析,可以认为含纳米硅的氧化硅薄膜的光发射主要来自电子-空穴对在SiO2层发光中心上的辐射复合.
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| 关 键 词： | γ射线辐照 光致发光 发光中心 高斯峰 |
| 文章编号： | 1001-988X（2006）06-0040-04 |
| 收稿时间： | 2006-07-26 |
| 修稿时间： | 2006-09-15 |
Study on multi-ply photoluminescence of nano-Si-SiO2 thin films |
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| CHEN Quan-hai,MA Shu-yi. Study on multi-ply photoluminescence of nano-Si-SiO2 thin films[J]. Journal of Northwest Normal University Natural Science (Bimonthly), 2006, 42(6): 40-43 |
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| Authors: | CHEN Quan-hai MA Shu-yi |
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| Affiliation: | College of Physics and Electronic Engineering, Northwest Normal University, Lanzhou 730070, Gansu, China |
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