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| 采用区熔结晶制备氟化钙优质单晶体 | |
| 作者姓名： | 崔凤柱 权宁三 |
| 作者单位： | 崔凤柱 权宁三 |
| 摘 要： | 本文报导以区熔法提高单晶基质纯度,掺杂致匀,制备长尺寸的单晶,并以高温热处理消除内应力和稳定杂质状态,从而获得了优质氟化钙掺杂单晶的结果。晶体生长是在高频加热的高温(1,400℃)、高真空(2×10~(-4)mm以上)下,采用水平移动熔区装置中进行的。晶体原料是经过专门的化学提纯和正常凝固处理的天然荧石,结晶容器是选取特制的光谱纯石墨锥型器皿。区域提纯开始采用宽熔区(40毫米),逐渐将熔区变窄(15毫米),并且改变熔区移动速度(156-57毫米/小时),对经过提纯10次的晶锭进行光谱 |
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