| 氮化镓薄膜研究进展 |
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| 引用本文： | 杨利,魏芹芹,孙振翠,薛成山. 氮化镓薄膜研究进展[J]. 山东师范大学学报(自然科学版), 2003, 18(4): 27-30 |
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| 作者姓名： | 杨利 魏芹芹 孙振翠 薛成山 |
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| 作者单位： | 山东师范大学半导体研究所化学功能材料实验室,250014,济南 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大研究计划资助项目 ( 90 2 0 10 2 5 )，国家自然科学基金资助项目 ( 60 0 710 0 6)联合资助 |
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| 摘 要： | 介绍了CaN薄膜材料的主要性质，制备工艺，掺杂，衬底和缓冲层等相关问题，并概述了GaN基器件的研究现状，提出了目前CaN研究中所面临的主要问题．
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| 关 键 词： | 氮化镓薄膜 研究进展 半导体 制备工艺 光电子材料 |
PROGRESS OF GALLIUM NITRIDE THIN FILM |
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| Yang Li Wei Qinqin Sun Zhencui Xue Chengshan. PROGRESS OF GALLIUM NITRIDE THIN FILM[J]. Journal of Shandong Normal University(Natural Science), 2003, 18(4): 27-30 |
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| Authors: | Yang Li Wei Qinqin Sun Zhencui Xue Chengshan |
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| Abstract: | Recent studies on gallium nitride thin films were reviewed with focus on techniques mainly used in GaN thin films growth,doping,buffers and substrate materials.The electrical and optical properties of GaN and their potential applications were summarized and the recent reports of GaN-base device were also mentioned.Main problems in research of GaN materials were discussed. |
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| Keywords: | GaN thin films semiconductor |
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