| 在PI衬底上制备CdS薄膜及其性能表征 |
| |
| 引用本文： | 李巍,方小红.在PI衬底上制备CdS薄膜及其性能表征[J].华南师范大学学报(自然科学版),2009(Z1). |
| |
| 作者姓名： | 李巍 方小红 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十八研究所,化学与物理电源技术重点实验室,天津,300381 |
| |
| 摘 要： | 介绍用化学水浴法在聚酰亚胺(PI)衬底上沉积铜铟镓硒薄膜太阳电池的缓冲层CdS薄膜. 研究制备CdS薄膜过程中的一些化学反应过程和反应机理,着重研究在沉积过程中,氨水浓度和水浴温度温度对CdS薄膜品质的影响. 经过实验比较得到沉积CdS薄膜的较佳氨水浓度和水浴温度条件为:1.3×10-3 mol/L NH3·H2O,75 ℃水浴温度.
|
| 关 键 词： | 化学水浴法 硫化镉 铜铟镓硒 太阳电池 |
SYNTHESIS AND PROPERTY OF CdS THIN FILM ON PI SUBSTRATES |
| |
| LI Wei,FANG Xiaohong.SYNTHESIS AND PROPERTY OF CdS THIN FILM ON PI SUBSTRATES[J].Journal of South China Normal University(Natural Science Edition),2009(Z1). |
| |
| Authors: | LI Wei FANG Xiaohong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
