首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

新型高线性度双平衡CMOS混频器芯片的设计
引用本文:赵明剑,李斌,吴朝晖. 新型高线性度双平衡CMOS混频器芯片的设计[J]. 华南理工大学学报(自然科学版), 2013, 41(5)
作者姓名:赵明剑  李斌  吴朝晖
作者单位:华南理工大学电子与信息学院,广东广州,510640
基金项目:国家自然科学基金资助项目
摘    要:设计了一款用于无线通信射频系统的新型双平衡混频器芯片,该混频器的输出信号中不存在与射频输入信号相关的二次非理想项,具有高线性度.该混频器基于新型乘法器结构,在两个工作于线性区的对称金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源、漏两极加入差分射频信号,在其栅极加入差分本振信号,从而以低复杂度方式实现射频信号与本振信号的双平衡混频或相乘;采用差分推挽放大器及源随器作为芯片的输出缓冲接口,改善了芯片与片外电路之间的隔离度,提高了功率增益和输出匹配性能.芯片采用0.18 μm射频(RF)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺流片,实现超宽频带范围内的信号混频或相乘,1 dB压缩点2.9 dBm,三阶交调16 dBm,总功耗25 mW,芯片性能良好,可以满足高性能、超宽带、高速无线通信系统的要求.

关 键 词:混频器  乘法器  双平衡  线性度  互补金属氧化物半导体

Design of Novel High-Linearity Double-Balanced CMOS Mixer
Zhao Ming-jian , Li Bin , Wu Zhao-hui. Design of Novel High-Linearity Double-Balanced CMOS Mixer[J]. Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition), 2013, 41(5)
Authors:Zhao Ming-jian    Li Bin    Wu Zhao-hui
Abstract:
Keywords:mixer  multiplier  double balance  linearity  complementary metal oxide semiconductor
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号