| 用变角XPS技术定量计算超薄SiO2层厚度 |
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| 引用本文： | 严少平,汪贵华,李锋,顾广颐.用变角XPS技术定量计算超薄SiO2层厚度[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2003,26(3). |
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| 作者姓名： | 严少平 汪贵华 李锋 顾广颐 |
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| 作者单位： | 1. 安徽理工大学,数理系,安徽,淮南,232001
2. 南京理工大学,电光学院,江苏,南京,210094 |
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| 基金项目： | 安徽省教育厅自然科学基金资助项目(2001kj227zc) |
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| 摘 要： | 采用变角XPS技术分析单晶Si和非晶Si衬底上覆盖SiO2薄层的样品,比较变角XPS定量计算超薄SiO2层厚度的几种方法及特点,从而获得一种比较可靠稳定的分析计算方法。实际应用证明,变角XPS技术可用于MOS集成器件的超薄栅氧化层厚度常规分析和测试。
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| 关 键 词： | 变角XPS技术 光电子峰强度 超薄SiO2层厚度计算 |
Quantitative determining of the thickness of ultrathin SiO2 layer based on the angle-dependent XPS technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | angle-dependent X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) technology photoelectron peak intensity calculation of the thickness of ultrathin SiO_2 layer |
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