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| 防止重掺砷CZ单晶硅组分过冷的探讨 | |
| 作者姓名： | 韩建超 |
| 作者单位： | 上海合晶硅材料有限公司, 上海 201617 |
| 摘 要： | 在探讨组分过冷数学模型的基础上,针对重掺砷CZ单晶硅的生长,理论计算了防止组分过冷时固液界面处晶体温度梯度GS的临界值为51.32~33.10 K/cm.以此为依据,设计了具有较大温度梯度的18寸(60 cm)晶体生长热场,以数值模拟的方法,给出了固液界面处晶体的温度梯度GS的模拟值为54.68~38.14 K/cm.在晶体等径生长的各个阶段,固液界面处晶体的温度梯度GS的模拟值均在防止组分过冷的临界值之上,可以有效避免晶体生长过程中组分过冷的发生,并利用实际晶体生长试验的结果验证了以上分析的有效性. |
| 关 键 词： | 组分过冷 重掺砷单晶硅 温度梯度 数值模拟 |
| 收稿时间： | 2012-07-13 |
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