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| 用场效应法研究a-Si_xC_(1-x):H薄膜的隙态密度 | |
| 引用本文： | 王印月,张仿清,郭华林,陈光华.用场效应法研究a-Si_xC_(1-x):H薄膜的隙态密度[J].科学通报,1984(8). |
| 作者姓名： | 王印月 张仿清 郭华林 陈光华 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系 (王印月，张仿清，郭华林)，兰州大学物理系(陈光华) |
| 摘 要： | 用场效应法测量a-Si∶H的隙态密度国内外有不少报道,而对a-Si_xC_(1-x)∶H薄膜隙态密度的报道尚未见到。我们根据场效应原理,把a-Si_xC_(1-x)∶H膜作成场效应管的结构,引出源(S)、漏(D)和栅(G)三个电极进行测量。在测量温度T=330K、源漏间电压V_(DS)=10V时,我们测量了碳(C)含量为10％的未退火和退火样品的l_D～V_G关系,对弱n型a-Si_(0.9)C_(0.1)∶H样品得到了包括积累、耗尽、弱反型和 |
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