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| SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究 | |
| 引用本文： | 廖伟,罗小蓉,廖勇明,洪根深,龚敏.SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究[J].四川大学学报(自然科学版),2001(Z1). |
| 作者姓名： | 廖伟 罗小蓉 廖勇明 洪根深 龚敏 |
| 作者单位： | 四川大学物理系 |
| 摘 要： | 在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C～V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的正电荷中心 ,而在n -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的负电荷中心 .对n -SiC和SiMOS电容进行了γ辐照对比实验 ,证实了n -SiCMOS电容器具有优异的抗辐照性能 . |
| 关 键 词： | 6H-SiC MOS电容 γ辐照 |
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