摘 要: | 详细地研究了铯在铝中的扩散和释放过程。铝衬底中的铯是由离子注入引入的。采用2MeV~4He~ 离子的卢瑟福背散射技术测量铝衬底中铯浓度的深度分布。通过分析恒时退火过程中铯在铝中的迁移和从表面释放的资料,得到了铯在铝中的扩散系数。实验表明,铯在单晶和多晶铝中有十分类似的扩散行为。铯离子注入剂量N_d(?)6×10~(16)ionscm~(-2)的情况下,铯在铝中的扩散系数随温度的变化可表示为D(?)0.02exp(-46000/RT)cm~2·sec~(-1).而在剂量较底的情况下(N_d(?)10~(16)ions cm~(-2)),可表示为D(?)0.02exp(-44000/RT)cm~2·sec.~(-1)。实验证实了永久性的强陷阱中心的存在。
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