| 射频磁控溅射和电子束蒸发制备ZnO薄膜特性的比较 |
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| 引用本文： | 高立,张建民.射频磁控溅射和电子束蒸发制备ZnO薄膜特性的比较[J].陕西师范大学学报,2009,37(3). |
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| 作者姓名： | 高立 张建民 |
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| 作者单位： | 陕西师范大学,物理学与信息技术学院,陕西,西安,710062
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射(Radio frequency-magnetro sputtering,RF-MS)和电子束蒸发(Electron beam evaporation,E-BE)方法制备ZnO薄膜,并对两种方法制备的薄膜在400、450和500℃退火后的微观结构、光学与电学性能进行比较.结果表明,RF-MS比E-BE制备的ZnO薄膜的晶粒细小且均匀,表面粗糙度小.两种方法制备的ZnO薄膜的平均透光率均大于80%,且随温度升高均表现出禁带宽度变小以及在380 nm附近出现近带边发射和绿光发射现象.此外,E-BE比RF-MS制备的ZnO薄膜的电阻率小.
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 电子束蒸发沉积 ZnO薄膜 |
Comparisons between ZnO thin films fabricated by RF-magnetron sputtering and Electron-beam evaporation |
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| GAO Li,ZHANG Jian-min.Comparisons between ZnO thin films fabricated by RF-magnetron sputtering and Electron-beam evaporation[J].Journal of Shaanxi Normal University: Nat Sci Ed,2009,37(3). |
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| Authors: | GAO Li ZHANG Jian-min |
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