| 边缘掺杂对应力作用下锯齿型石墨烯纳米带I-V特性的影响 |
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| 引用本文： | 廖文虎,郭俊吉.边缘掺杂对应力作用下锯齿型石墨烯纳米带I-V特性的影响[J].湖南师范大学自然科学学报,2012,35(6):30-33. |
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| 作者姓名： | 廖文虎 郭俊吉 |
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| 作者单位： | 吉首大学物理与机电工程学院,中国吉首,416000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，湖南省自然科学基金资助项目，吉首大学博士启动基金资助项目 |
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| 摘 要： | 利用第一性原理计算得到边缘n-型氮N和p-型氧O掺杂的6-锯齿型石墨烯纳米带在外加非轴向应力作用下的I-V特性曲线.研究结果表明,边缘掺杂在低偏压条件(VBias<0.5 V)下增强锯齿型石墨烯纳米带的导电能力,在偏压大于1.0 V后将减弱系统的导电能力;外加非轴向应变却能在较宽的偏压范围内增强系统的导电能力.该结果对基于锯齿型石墨烯纳米带的纳米电子、光电子器件的研究和设计具有较重要的意义.
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| 关 键 词： | 锯齿型石墨烯纳米带 边缘掺杂 非轴向应力 第一性原理计算 I-V特性 |
Influence of Edge-Doping on I-V Curve of Zigzag-Edge Graphene Nanoribbons under Uniaxial Strain |
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| LIAO Wen-hu
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GUO Jun-ji.Influence of Edge-Doping on I-V Curve of Zigzag-Edge Graphene Nanoribbons under Uniaxial Strain[J].Journal of Natural Science of Hunan Normal University,2012,35(6):30-33. |
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| Authors: | LIAO Wen-hu GUO Jun-ji |
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| Institution: | (College of Physics,Mechanical and Electrical Engineering,Jishou University,Jishou 416000,China) |
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