| GeSi／Si多量子阱光波导模特性分析和结构设计 |
| |
| 引用本文： | 任中杰 李娜. GeSi／Si多量子阱光波导模特性分析和结构设计[J]. 陕西师范大学学报(自然科学版), 1998, 26(1): 33-36 |
| |
| 作者姓名： | 任中杰 李娜 |
| |
| 作者单位： | 陕西师范大学民族教育科技研究中心，西安交通大学电子工程系 |
| |
| 摘 要： | 根据普适于任意阱数方波折射率分布的多量子阱光波导模场分布函数和模特征方程，分析了以ＧｅＳｉ／Ｓｉ多量子阱为波导芯、Ｓｉ为覆盖层的光波导结构中锗含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播系数的影响．结合吸收特点，对波导探测器ＭＱＷ吸收层结构进行优化设计．
|
| 关 键 词： | GeSi／Si多量子阱；光波导；传播系数 |
Analysis and optimum design on GeSi/Si MQW optical waveguide |
| |
| Abstract: | According to field distribution function and mode property equation in MQW optical waveguide, the influence of Si composition, period number and depth to plate waveguide mode property is analyzed, waveguide is formed by GeSi/Si MQW core and Si cover GeSi/Si MQW absorber layer structure is optimum designed. |
| |
| Keywords: | GeSi/Si MQW optical propagation constant |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
